總結
觀察多模光纖輸出端面的NFP(近場模式)。 采用850nm LD光源作為光源。 NFP測量光學系統(tǒng)使用我們的高性能NFP測量光學系統(tǒng)M-Scope Type S,物鏡使用M-Plan Apo 20x。 該探測器使用我們的ISA011高精度數(shù)字CCD探測器。
使用850nm LD光源測量多模光纖出口端的NFP案例分析
觀察多模光纖輸出端面的NFP(近場模式)。 采用850nm LD光源作為光源。 NFP測量光學系統(tǒng)使用我們的高性能NFP測量光學系統(tǒng)M-Scope Type S,物鏡使用M-Plan Apo 20x。 該探測器使用我們的ISA011高精度數(shù)字CCD探測器。
光束NFP測量裝置
光源
FC連接器輸出型溫控高穩(wěn)定性LD光源(850nm)LSL002/850
光學
高性能光束 NFP 測量光學元件 M 型示波器 S 型
目的
20倍物鏡M-計劃阿波20
探測器
高精度數(shù)字CCD探測器ISA011
數(shù)據(jù)處理和分析設備
光束分析模塊 AP013
其他
手動3軸帶載物臺光纖測量光學支架OP002-F3
使用850nm LD光源的多模光纖輸出NFP的觀察圖像和測量結果如左圖和下圖所示。
水平 52.342um / 垂直 52.940um(1/E 寬度)
測量條件
整體放大倍率:20倍(物鏡20倍)
像素分辨率:0.2325um
暗電流校正:是
應計數(shù)量:8
使用此組件,可以執(zhí)行環(huán)形通量分析。 左圖顯示了在上述條件下從NFP測量圖像中獲得的包圍磁通量測量結果。
EF 圖:顯示在左側。
EF 分析條件
中心:區(qū)域重心
參考分析范圍設置:30um
半徑系數(shù):1.15
分析間距:0.1um
后臺處理:是(系數(shù) 1.2)
光學元件選擇
對于光學系統(tǒng),我們選擇了光束NFP測量光學系統(tǒng)M-Scope S型。 另外,由于多模光纖芯的直徑約為50um,因此我們選擇了是普通型20倍的物鏡。 因此,實際視場約為324um x 242um,像素分辨率為0.233um。
探測器選擇
由于測量波長約為850nm,分辨率很高,因此我們選擇了高精度數(shù)字CCD探測器ISA011。
EF分析功能
我們的NFP分析是一種使用放大光學系統(tǒng)和圖像檢測器的圖像處理分析方法。 將光束的二維光強分布捕獲為圖像并進行圖像分析。 因此,除了正常的光束輪廓分析外,它還可用于功率分布分析,例如EF分析。 EF 分析是我們的光束分析軟件 Optometrics BA 標準的標準。
光束NFP測量裝置
環(huán)形磁通和環(huán)繞角通量分析系統(tǒng)
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