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VACUUM DEVICE磁控濺射沉積設備的使用流程

VACUUM DEVICE磁控濺射沉積設備的使用流程

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產生等離子體的氣體

氬氣主要用作真空設備中產生等離子體所必需的氣源。
使用氬氣是因為它具有惰性,不易與其他元素發(fā)生化學反應,濺射率高。
它的另一個特點是廣泛使用價格低廉的高純度氣體。

第一次電離

當在電極之間施加超過一定水平的電壓時,熱電子從陽極側發(fā)射。
當這些熱電子與氬氣碰撞時,更多的電子在連鎖反應中一個接一個地被射出并電離,使氬氣變成正離子。這時,電離的電子在試圖恢復到原來的狀態(tài)時會發(fā)光。這就是等離子看起來有光澤的原因。

磁控管等離子體狀態(tài)

在等離子體中,預電離的氬原子、發(fā)射的電子和正電離的氬原子處于不穩(wěn)定和混亂的狀態(tài)。 發(fā)射出的電子被磁控管的磁力線俘獲,一邊反復做圓周運動,一邊與氬氣分子一個接一個地反復碰撞。磁控管的濺射效率好,是因為電子被磁場捕獲,促進了氬氣的電離。 磁控濺射的等離子體局部明亮,因為那里磁場集中,經常發(fā)生電離。
等離子體

濺射

正電離的氬氣被吸引到帶負電的靶表面并與其高速碰撞。
靶材金屬粒子因與靶材的碰撞力而濺射而出。 噴射出的目標金屬顆粒在與氣體分子碰撞的同時到達樣品。 當金屬顆粒相互碰撞時,一些顆粒會生長。 將粉雪落在樣本上的圖像是個好主意。 最終到達樣品的金屬顆粒一個接一個聚集形成薄膜。 由于粒徑因金屬的種類而異,因此需要選擇適合的金屬來制作所需的薄膜。

概括

  • 在等離子體中,氣體分子和負離子處于不穩(wěn)定狀態(tài)。

  • 當電離的負離子試圖恢復到原來的狀態(tài)時發(fā)光。

  • 加上正離子與負靶碰撞。

  • 散落的目標金屬顆粒與氣體分子碰撞并聚集在樣品上。

  • 不同的金屬有不同的粒徑。


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